一·真空晶體生長爐 設(shè)備用途
　　主要用于LED行業(yè)的寶石類晶體制備，氟化物類晶體生長，燒結(jié)，退火等處理

二·真空晶體生長爐 產(chǎn)品特點(diǎn)

1·模塊化設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)緊湊，外形美觀，

2·采用底部電動(dòng)升降和鐘罩式爐體升降，結(jié)構(gòu)精巧，方便，移動(dòng)平穩(wěn)裝卸料方便

3· 采用觸摸屏+plc控制方式，自動(dòng)化程度高，操作直觀，功能強(qiáng)大。

4· 在觸摸屏內(nèi)可預(yù)存幾十種燒結(jié)工藝，一次編輯，以后直接調(diào)用使用，省去多次編輯工藝的麻煩，避免輸入錯(cuò)誤，燒壞產(chǎn)品。

5· 燒結(jié)的溫度，真空度，等數(shù)據(jù)可實(shí)時(shí)記錄，也可隨時(shí)啟動(dòng)停止記錄，減少無用數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)可查詢，可導(dǎo)出下載。

6· 燒結(jié)溫度高，用石墨發(fā)熱體，發(fā)熱均勻。

三·設(shè)備參數(shù)

1· 設(shè)備總功率：≤110Kw；電源電壓：3相380V,50Hz

2·加熱功率：80kw 三相380V(暫定）

2·最高溫度：1500℃

3·額定溫度：0~1400℃

1. 4. 工作區(qū)尺寸：Ф500×300mm（直徑×高，）

5·爐體內(nèi)徑Ф1000*1200mm（暫定）

6.測溫系統(tǒng)：                   鎢萊熱電偶

7.控溫精度：                   ±1℃

8.加熱區(qū)：                    Ф540×600mm

9.下降速度：                  慢速升降0.1-10mm/h（伺服控制）

快速升降50-200mm/min（帶手動(dòng)升降）

10.中心軸有效行程/載重：      ≤450mm/200kg

11.爐內(nèi)充氣壓力：             ≤0.03MPa